描述 | MOSFET P-CH 20V 3A 6-TSOP | FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
---|---|---|---|
FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3A | 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 80 毫欧 @ 4A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 5nC @ 5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | - | 功率 - 最大 | 1.14W |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) |
供应商设备封装 | 6-TSOP | 包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | SI3465DV-T1-E3TR |