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  • SI3465DV-T1-E3

SI3465DV-T1-E3

  • 制造商:-
  • 数据列表:SI3465DV
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.2175
产品属性
描述MOSFET P-CH 20V 3A 6-TSOPFET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C80 毫欧 @ 4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs5nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds-功率 - 最大1.14W
安装类型表面贴装封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
供应商设备封装6-TSOP包装带卷 (TR)
其它名称SI3465DV-T1-E3TR

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