您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > si3471cdv-t1-ge3

SI3471CDV-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:12 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 8 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥5.24
  • 10¥3.59
  • 100¥3.11
  • 250¥2.62
  • 500¥2.28
产品属性
描述MOSFET 12V 8.0A 3.8W 27mohm @ 4.5V漏极连续电流8 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.027 Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TSOP-6封装Reel
最小工作温度- 55 C功率耗散2 W
工厂包装数量3000零件号别名SI3471CDV-GE3

si3471cdv-t1-ge3的相关型号: