| 描述 | MOSFET P-CH D-S 200V 6-TSOP | FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 950mA | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.61 欧姆 @ 900mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 500pF @ 50V | 功率 - 最大 | 3.2W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 6-TSOP | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SI3475DV-T1-GE3TR |
