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SI3585DV-T1

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:+/- 20 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 12 V
产品属性
描述MOSFET 20V 2.4/1.8A漏极连续电流2.4 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.125 Ohms, 0.2 Ohms配置Dual
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TSOP-6封装Reel
下降时间30 ns at N Channel, 34 ns at P Channel最小工作温度- 55 C
功率耗散830 mW上升时间30 ns at N Channel, 34 ns at P Channel
工厂包装数量3000商标名TrenchFET
典型关闭延迟时间14 ns at N Channel, 19 ns at P Channel

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