您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > si3803dv-t1

SI3803DV-T1

制造商：-
晶体管极性：P-Channel
闸/源击穿电压：+/- 8 V
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.14 Ohms
配置：Quad

发布求购更多供应商

产品属性

描述	MOSFET TSOP-6 8V 3A 2W	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	TSOP-6
封装	Reel	下降时间	105 ns
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	2 W
上升时间	50 ns	工厂包装数量	3000
典型关闭延迟时间	75 ns

si3803dv-t1的相关型号：