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SI3851DV-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1800¥2.90
  • 3000¥2.35
  • 6000¥2.21
  • 12000¥2.19
产品属性
描述MOSFET 30V 1.8A 1.15W 200mohm @ 10V漏极连续电流1.6 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.2 Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TSOP-6封装Reel
最小工作温度- 55 C功率耗散830 mW
零件号别名SI3851DV-GE3

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