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SI3872DV-T1

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N and P-Channel
汲极/源极击穿电压：30 V, 20 V
漏极连续电流：2.5 A, 1.8 A

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产品属性

描述	MOSFET 30/-20V	电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.085 Ohms, 0.16 Ohms
配置	Dual	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TSOP-6	封装	Reel
栅极电荷 Qg	2.1 nC, 2.7 nC	功率耗散	1.15 W
工厂包装数量	3000

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