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SI3909DV-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:TrenchFET?
  • FET 型:2 个 P 沟道(双)
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品属性
描述MOSFET 2P-CH 20V 6TSOPFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C-
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 1.8A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)500mV @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs4nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds-
功率 - 最大-安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)供应商设备封装6-TSOP
包装带卷 (TR)

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