| 描述 | MOSFET 30V 500a N-Channel | 漏极连续电流 | 9 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.018 Ohms | 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 10 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 2.5 W | 上升时间 | 13 ns |
| 工厂包装数量 | 2500 | 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
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