您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > si4429edy

SI4429EDY

制造商：-
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：30 V
闸/源击穿电压：+/- 12 V
漏极连续电流：13 A

发布求购更多供应商

Data sheet：下载

产品属性

描述	MOSFET 30V 13A 3W	电阻汲极/源极 RDS（导通）	10.5 mOhms
配置	Single	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	SO-8
下降时间	19 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	1.5 W	上升时间	19 ns
工厂包装数量	100	商标名	TrenchFET
典型关闭延迟时间	54 ns

si4429edy的相关型号：