您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > si4431dy-t1-e3

SI4431DY-T1-E3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：30 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

发布求购更多供应商

产品属性

描述	MOSFET 30 Volt 7.0 Amp 2.5W	漏极连续电流	5.8 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	40 mOhms	配置	Single
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOIC-8 Narrow	封装	Reel
下降时间	15 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	2.5 W	上升时间	12 ns
工厂包装数量	2500	典型关闭延迟时间	38 ns
零件号别名	SI4431DY-E3

si4431dy-t1-e3的相关型号：