| 描述 | MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V | 漏极连续电流 | 8.1 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 24 mOhms | 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 12 ns, 16 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 2500 mW | 上升时间 | 8 ns, 35 ns |
| 工厂包装数量 | 2500 | 典型关闭延迟时间 | 45 ns, 40 ns |
| 零件号别名 | SI4435DDY-GE3 |
