| 描述 | MOSFET SO8 SINGLE PCH | 漏极连续电流 | - 13.5 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 6.7 m Ohms | 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 最大工作温度 | + 175 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 140 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 70 S |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 2.5 W |
| 上升时间 | 24 ns | 工厂包装数量 | 2500 |
| 典型关闭延迟时间 | 300 ns |
