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  • SI4482DY-T1-E3

SI4482DY-T1-E3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:100 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
产品属性
描述MOSFET 100V 4.6A 2.5W漏极连续电流4.6 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)60 mOhms配置Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOIC-8 Narrow封装Reel
下降时间25 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散2500 mW上升时间12 ns
工厂包装数量2500典型关闭延迟时间60 ns
零件号别名SI4482DY-E3

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