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  • SI4539DY-T1-E3

SI4539DY-T1-E3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
产品属性
描述MOSFET 30 Volt 5.9/4.9A 2W漏极连续电流5.8 A, 4.9 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)37 mOhms, 53 mOhms配置Dual
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SO-8封装Reel
下降时间24 ns, 15 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散2 W上升时间20 ns, 13 ns
工厂包装数量2500典型关闭延迟时间27 ns, 25 ns
零件号别名SI4539DY-E3

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