您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > si4558dy-e3

SI4558DY-E3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N and P-Channel
汲极/源极击穿电压：30 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

发布求购更多供应商

产品属性

描述	MOSFET 30V 6A 2.4W	漏极连续电流	6 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	40 mOhms	配置	Dual
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOIC-8 Narrow	封装	Tube
下降时间	24 ns, 25 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	2.4 W	上升时间	12 ns
工厂包装数量	100	典型关闭延迟时间	27 ns, 38 ns

si4558dy-e3的相关型号：