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SI4562DY-T1

制造商：-
晶体管极性：N and P-Channel
汲极/源极击穿电压：20 V
闸/源击穿电压：+/- 12 V
漏极连续电流：7.1 A, 6.2 A

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产品属性

描述	MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W	电阻汲极/源极 RDS（导通）	25 mOhms, 33 mOhms
配置	Dual	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	SOIC-8 Narrow
封装	Reel	下降时间	40 ns, 45 ns
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	2 W
上升时间	40 ns, 32 ns	工厂包装数量	2500
典型关闭延迟时间	90 ns, 95 ns

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