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  • SI4599DY-T1-GE3

SI4599DY-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:TrenchFET?
  • FET 型:N 和 P 沟道
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.3335
  • 5000$0.3105
  • 12500$0.299
  • 25000$0.2875
  • 62500$0.2829
产品属性
描述MOSFET N/P-CH 40V 8SOICFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)40V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.8A,5.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35.5 毫欧 @ 5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds640pF @ 20V
功率 - 最大3W,3.1W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SOICN
包装带卷 (TR)其它名称SI4599DY-T1-GE3TR

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