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SI4626DY-T1-E3

产品属性

描述	MOSFET 30V 30A 6.0W	漏极连续电流	21.5 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.0036 Ohms	配置	Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOIC-8 Narrow	封装	Reel
下降时间	18 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	3 W	上升时间	21 ns
工厂包装数量	2500	典型关闭延迟时间	45 ns
零件号别名	SI4626DY-E3

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