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  • SI4662DY-T1-GE3

SI4662DY-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1320¥3.93
  • 2500¥2.79
  • 5000¥2.64
  • 7500¥2.62
  • 10000¥2.61
产品属性
描述MOSFET 30V 18.6A 6.25W 10mohm @ 10V漏极连续电流12.9 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)10 mOhms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOIC-8 Narrow封装Reel
最小工作温度- 55 C功率耗散3 W
工厂包装数量2500零件号别名SI4662DY-GE3

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