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SI4702DY

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 漏极连续电流:5.5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):24 mOhms
产品属性
描述MOSFET 30V 5.5A 1.25W配置Dual
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOIC-8 Narrow最小工作温度- 55 C
功率耗散1250 mW工厂包装数量100

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