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SI4710CY

制造商：-
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：30 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V
漏极连续电流：6 A

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产品属性

描述	MOSFET P-Ch Battery Disc	电阻汲极/源极 RDS（导通）	18 mOhms
配置	Single	最大工作温度	+ 85 C
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	SOIC-8 Narrow
最小工作温度	- 25 C	功率耗散	2.3 W
工厂包装数量	100

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