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SI4736DY-T1-GE3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：30 V
闸/源击穿电压：+/- 12 V

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参考价格

数量单价
1170￥15.80
2500￥10.83
5000￥10.49
7500￥10.35

产品属性

描述	MOSFET 30V 13A 3.1W 9.5mohm @ 10V	漏极连续电流	9 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	9.5 mOhms	配置	Single
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOIC-8 Narrow	封装	Reel
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	1.4 W
工厂包装数量	2500	零件号别名	SI4736DY-GE3

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