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Si4776DY-T1-GE3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：30 V
闸/源击穿电压：20 V

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参考价格

数量单价
1￥2.76
10￥2.62
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产品属性

描述	MOSFET 30 Volts 11.9 Amps 4.1 Watts	漏极连续电流	11.9 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.013 Ohms	配置	Single
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	SOIC-8
封装	Reel	下降时间	6 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）	30 S	栅极电荷 Qg	11.6 nC
功率耗散	4.1 Watts	上升时间	11 ns
典型关闭延迟时间	11 ns	零件号别名	SI4776DY-GE3

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