| 描述 | MOSFET 30V 4.7/9A | 漏极连续电流 | 4.7 A, 9 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 40 mOhms, 17.5 mOhms | 配置 | Dual |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow | 下降时间 | 12 ns at Channel 1, 15 ns at Channel 2 |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 1.4 W, 2.25 W |
| 上升时间 | 12 ns at Channel 1, 15 ns at Channel 2 | 工厂包装数量 | 100 |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns at Channel 1, 45 ns at Channel 2 |
