| 描述 | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 20 毫欧 @ 8A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 950pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 2.9W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | SI4830CDY-T1-GE3TR |
