| 描述 | MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC | FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 二极管（隔离式） | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.6A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 72 毫欧 @ 3.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 750pF @ 15V | 功率 - 最大 | 2.75W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOICN | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SI4833ADY-T1-E3TR |
