您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > si4835dy-t1

SI4835DY-T1

制造商：-
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：30 V
闸/源击穿电压：+/- 25 V
漏极连续电流：8 A

发布求购更多供应商

产品属性

描述	MOSFET 30V 8A 2.5W	电阻汲极/源极 RDS（导通）	19 mOhms
配置	Single	最大工作温度	+ 125 C
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	SOIC-8 Narrow
封装	Reel	下降时间	30 ns
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	2.5 W
上升时间	12 ns	工厂包装数量	2500
商标名	TrenchFET	典型关闭延迟时间	32 ns

si4835dy-t1的相关型号：