描述 | MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC | FET 特点 | 标准型 |
---|---|---|---|
漏极至源极电压(Vdss) | 40V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 19A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 9 毫欧 @ 12.4A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 50nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2000pF @ 20V |
功率 - 最大 | 6W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | SI4840BDY-T1-E3-NDSI4840BDY-T1-E3TR |