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SI4866DY-T1

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：12 V
闸/源击穿电压：+/- 8 V

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参考价格

数量单价
1￥42.64
10￥30.64
50￥28.15
100￥25.67
500￥18.84

产品属性

描述	MOSFET 12V 17A 1.6W	漏极连续电流	17 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	5.5 mOhms	配置	Single
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOIC-8 Narrow	封装	Reel
下降时间	35 ns	正向跨导 gFS（最大值/最小值）	80 S
栅极电荷 Qg	21 nC	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	1.6 W	上升时间	32 ns
工厂包装数量	2500	典型关闭延迟时间	82 ns

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