您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > si4876dy

SI4876DY

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：20 V
闸/源击穿电压：+/- 12 V

发布求购更多供应商

Data sheet：下载

产品属性

描述	MOSFET 20V 21A 3.6W	漏极连续电流	21 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	5 mOhms	配置	Single
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SO-8	下降时间	30 ns
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	3.6 W
上升时间	30 ns	工厂包装数量	100
典型关闭延迟时间	175 ns

si4876dy的相关型号：