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SI4896DY-E3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：80 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

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产品属性

描述	MOSFET 80V 9.5A 3.1W	漏极连续电流	9.5 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	16.5 mOhms	配置	Single
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SO-8	封装	Tube
下降时间	11 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	3.1 W	上升时间	11 ns
商标名	TrenchFET	典型关闭延迟时间	40 ns

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