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  • SI4920DY

SI4920DY

描述MOSFET SO8 DUAL NCH漏极连续电流6 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.023 Ohms配置Dual Dual Drain
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOIC-8 Narrow封装Reel
下降时间5 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)18 S
最小工作温度- 55 C功率耗散2 W
上升时间10 ns工厂包装数量2500
典型关闭延迟时间18 ns

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