| 描述 | MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 12V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 18 毫欧 @ 8.9A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 350?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 52nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 功率 - 最大 | 1.1W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | SI4931DY-T1-GE3TR |
