您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > si4936dy
  • SI4936DY

SI4936DY

描述MOSFET Dual NCh 30V 400a MOSFET漏极连续电流5.8 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.032 Ohms配置Dual Dual Drain
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOIC-8 Narrow封装Reel
下降时间13 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)12 S
最小工作温度- 55 C功率耗散2 W
上升时间8 ns工厂包装数量2500
典型关闭延迟时间17 ns

si4936dy的相关型号: