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SI4949EY

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N and P-Channel
汲极/源极击穿电压：60 V, 30 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

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产品属性

描述	MOSFET 60/30V	漏极连续电流	4.5 A, - 5.1 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.055 Ohms	配置	Dual Dual Drain
最大工作温度	+ 175 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOIC-8 Narrow	下降时间	11 ns, 15 ns
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	2.4 W
上升时间	11 ns, 13 ns	工厂包装数量	100
典型关闭延迟时间	36 ns, 25 ns

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