| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | - |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 25 毫欧 @ 7.1A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 50nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 功率 - 最大 | - | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 带卷 (TR) |
