| 描述 | MOSFET 30V 3.9/2.8A | 漏极连续电流 | 3.9 A, 2.8 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 85 mOhms, 165 mOhms | 配置 | Dual |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | 1206-8 ChipFET | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 12 ns at N Channel, 11 ns at P Channel | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 1.1 W | 上升时间 | 12 ns at N Channel, 11 ns at P Channel |
| 工厂包装数量 | 3000 | 典型关闭延迟时间 | 12 ns at N Channel, 14 ns at P Channel |
