您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > si5519du-t1-ge3
  • SI5519DU-T1-GE3

SI5519DU-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:N 和 P 沟道
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品属性
描述MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK CHPFETFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A,4.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C36 毫欧 @ 6.1A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.8V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs17.5nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds660pF @ 10V
功率 - 最大2.27W安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? CHIPFET? 双供应商设备封装PowerPAK? ChipFet 双
包装带卷 (TR)其它名称SI5519DU-T1-GE3TR

si5519du-t1-ge3的相关型号: