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  • SI5903DC-T1

SI5903DC-T1

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:20 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 12 V
产品属性
描述MOSFET 20V 2.9A 2.1W漏极连续电流2.1 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)155 mOhms配置Dual
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体1206-8 ChipFET封装Reel
下降时间35 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散1.1 W上升时间35 ns
工厂包装数量3000商标名TrenchFET
典型关闭延迟时间25 ns

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