您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > si5915bdc-t1-ge3

SI5915BDC-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:TrenchFET?
  • FET 型:2 个 P 沟道(双)
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品属性
描述MOSFET P-CH 8V CHIPFET 1206-8FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)8V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C70 毫欧 @ 3.3A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 8V输入电容 (Ciss) @ Vds420pF @ 4V
功率 - 最大3.1W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SMD,扁平引线供应商设备封装1206-8 ChipFET?
包装带卷 (TR)

si5915bdc-t1-ge3的相关型号: