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SI5999EDU-T1-GE3

制造商：-
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：- 20 V
漏极连续电流：- 6 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.047 Ohms

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参考价格

数量单价
1￥4.49
25￥3.45
100￥3.04
250￥2.62
500￥2.21

产品属性

描述	MOSFET 20V 6A DUAL P-CH MOSFET	配置	Dual
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PowerPAK ChipFET Dual	封装	Reel
正向跨导 gFS（最大值/最小值）	11 S	栅极电荷 Qg	13.2 nC
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	10.4 W
零件号别名	SI5999EDU-GE3

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