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  • SI6410DQ

SI6410DQ

描述MOSFET 30V/20V NCh MOSFET漏极连续电流7.8 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.014 Ohms配置Single Triple Drain Quad Source
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TSSOP-8封装Reel
下降时间8 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散1.4 W上升时间8 ns
工厂包装数量2500典型关闭延迟时间30 ns

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