您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > si6433dq-t1

SI6433DQ-T1

  • 制造商：-
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：- 12 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 8 V
  • 漏极连续电流：+/- 4 A
产品属性
描述MOSFET 12V 4A 1.5W电阻汲极/源极 RDS（导通）0.06 Ohms
配置Single Triple Drain Quad Source最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体TSSOP-8
封装Reel下降时间47 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散1.5 W
上升时间47 ns工厂包装数量3000
典型关闭延迟时间87 ns

si6433dq-t1的相关型号：

©2011 维库电子市场网　经营许可证编号：浙B2-20050339 版权声明
| 在线客服QQ：331652727 | MSN:Dzsc023@hotmail.com
IC库存上载QQ:331652727 292037668| MSN:dzsc071@hotmail.com | 买家服务部QQ：1119644785