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SI6436DQ-T1

  • 制造商：-
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：4.4 A
产品属性
描述MOSFET 30V 4.4A 1.5W电阻汲极/源极 RDS（导通）45 mOhms
配置Single Triple Drain Quad Source最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体TSSOP-8
封装Reel下降时间10 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散1500 mW
上升时间10 ns工厂包装数量3000
典型关闭延迟时间25 ns

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