您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > si6463dq-t1-e3

SI6463DQ-T1-E3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：6.5 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V

发布求购更多供应商

产品属性

描述	MOSFET 20V 7.5A 1.5W	漏极连续电流	6.5 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	20 mOhms	配置	Single
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TSSOP-8	封装	Reel
下降时间	30 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	1.5 W	上升时间	30 ns
工厂包装数量	3000	典型关闭延迟时间	110 ns
零件号别名	SI6463DQ-E3

si6463dq-t1-e3的相关型号：