您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > si6562dq-t1

SI6562DQ-T1

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N and P-Channel
汲极/源极击穿电压：20 V
闸/源击穿电压：+/- 12 V

发布求购更多供应商

产品属性

描述	MOSFET 20V 4.5/3.5A	漏极连续电流	4.5 A, 3.5 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	30 mOhms, 50 mOhms	配置	Dual
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TSSOP-8	封装	Reel
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	1 W
工厂包装数量	3000	商标名	TrenchFET
典型关闭延迟时间	50 ns at N Channel, 57 ns at P Channel

si6562dq-t1的相关型号：