您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > si6866bdq-t1

SI6866BDQ-T1

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：20 V
闸/源击穿电压：+/- 12 V

发布求购更多供应商

产品属性

描述	MOSFET 20V 5.8A	漏极连续电流	6 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	27 mOhms	配置	Dual
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TSSOP-8	封装	Reel
下降时间	53 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	1.2 W	上升时间	53 ns
工厂包装数量	3000	典型关闭延迟时间	30 ns

si6866bdq-t1的相关型号：