| 描述 | MOSFET P-CH DUAL 12V 4.9A 8TSSOP | FET 型 | 2 个 P 沟道（双） |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.9A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 21 毫欧 @ 5.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 900mV @ 400?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 28nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | - | 功率 - 最大 | 830mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-TSSOP | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SI6913DQ-T1-E3TR |
