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SI6926AEDQ-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:20 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 14 V

参考价格

  • 数量单价
  • 2120¥3.52
  • 3000¥3.04
产品属性
描述MOSFET 20V 4.5A 1.0W 30mohm @ 4.5V漏极连续电流4.1 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)30 mOhms配置Dual
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TSSOP-8封装Reel
最小工作温度- 55 C功率耗散830 mW
工厂包装数量3000零件号别名SI6926AEDQ-GE3

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